特許

J-GLOBAL ID：200903023441466507

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 中條 直樹 ,  佐野 日隅 ,  小泉 玄太 ,  鈴木 良治 ,  池上 久也 ,  皆川 俊一 ,  酒井 勝彦
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335244
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167198
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 製造が簡単で寿命の長い半導体発光素子及びその製造方法を提供することを可能とする。【構成】 選択的にメサストライプ9を形成した半導体基板1上に、少なくとも前記基板と逆の導電型の電流狭窄層2と、第1クラッド層3と、活性層4と、第2クラッド層5の各層を順次積層した構造において、電流狭窄層2をメサストライプの凸部9を除く領域に積層させ、かつ活性層4がメサストライプの凸部9の直上でたわみなく平板状であることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

選択的にメサストライプを形成した第1の導電型の半導体基板上に、少なくとも前記基板と逆の導電型の第2の導電型の第1層(電流狭窄層)と、第1の導電型の第2層(第1クラッド層)と、第1の導電型又は第2の導電型又はアンドープの第3層(活性層)と、第2の導電型の第4層(第2クラッド層)の各層を順次積層した構造において、第1層をメサストライプの凸部を除く領域に積層させ、かつ第3層がメサストライプの凸部の直上でたわみなく平板状であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/208