特許
J-GLOBAL ID：200903023444679374
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252441
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115889
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホール内の基板表面近傍の欠陥領域を取り除き、リーク電流の発生を防ぐ。【構成】 第1の絶縁膜5を堆積し、コンタクトホール6を形成した後、このコンタクトホール6内の表面を熱酸化し、第1の熱酸化膜8を形成後、コンタクトホール6の側壁面を覆うように、第2の絶縁膜9を堆積した後、コンタクトホール6の側壁面に第2の絶縁膜9を残存させ、かつコンタクトホール6内の第1の熱酸化膜8および第2の絶縁膜9を貫通して、基板1の表面に達するまでエッチングする。この露出した基板1の表面を熱酸化し、第2の熱酸化膜13を形成し、この第2の熱酸化膜13をエッチングした後、コンタクトホール6をへて基板1の表面と接合される導電膜11を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体からなる基板の表面上に第1の絶縁膜を堆積する工程と、この第1の絶縁膜を貫通して、上記基板の表面まで達するコンタクトホールを形成する工程と、このコンタクトホール内の露出した基板の表面を熱酸化し、第1の熱酸化膜を形成する工程と、上記コンタクトホール形成後、上記コンタクトホールの側壁面を覆うように上記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を堆積する工程と、この第2の絶縁膜が上記コンタクトホールの側壁面に残存し、かつ上記コンタクトホール内の上記第1の熱酸化膜および上記第2の絶縁膜を貫通して、上記基板の表面に達するまでエッチングする工程と、このエッチング後、上記コンタクトホール内に露出した基板の表面を熱酸化し、第2の熱酸化膜を形成する工程と、この第2の熱酸化膜をエッチングする工程と、上記コンタクトホールをへて基板の表面に接合する導電膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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