特許
J-GLOBAL ID：200903023445619782
含フッ素ポリベンゾオキサゾール-ポリイミドの製造方法、及び半導体多層配線用層間絶縁膜
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-040291
公開番号（公開出願番号）：特開平11-236450
出願日： 1998年02月23日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】 耐熱性、機械的強度、吸水率と共に、電気特性に優れた半導体の多層配線用層間絶縁膜を提供することのできる、含フッ素ポリベンゾオキサゾール-ポリイミドを合成する。【解決手段】 ビス(アミノフェノール)化合物と、一般式(1)で示されるジカルボン酸ジエステルとの反応によって、一般式(2)で示されるアミン末端のポリヒドロキシアミドを合成し、これにビス(アミノフェノール)化合物に対して0.05〜0.5モル量のイミド環を含む活性エステル化合物を反応させて、ポリヒドロキシアミド-ポリイミドを生成させた後、該ポリヒドロキシアミド-ポリイミドを脱水閉環反応させる。なお、式中、Rは1価の有機基で、pは1〜100の整数である。【化1】【化3】
請求項（抜粋）：
ビス(アミノフェノール)化合物と、一般式(1)で示されるジカルボン酸ジエステルとの反応によって、一般式(2)で示されるアミン末端のポリヒドロキシアミドを合成し、これにビス(アミノフェノール)化合物に対して0.05〜0.5モル量の、イミド環を含む活性エステル化合物を反応させて、ポリヒドロキシアミド-ポリイミドを生成させた後、該ポリヒドロキシアミド-ポリイミドを脱水閉環反応させることを特徴とする、一般式(3)で示される含フッ素ポリベンゾオキサゾール-ポリイミドの製造方法。【化1】式中、Rは1価の有機基で、Ar1は、下記9種類の含フッ素基の中から選ばれた1つである。【化2】【化3】式中、pは1〜100の整数で、Ar1は一般式(1)におけるAr1と同じであり、Ar2は、下記の式で示される含フッ素基である。【化4】【化5】式中、0.05≦n≦0.5,m+n=1で、Ar1およびAr2は、それぞれ一般式(1)および一般式(2)におけるAr1,Ar2と同じであり、Ar3は、下記2種類の芳香族基の中の1つである。【化6】
IPC (4件)：
C08G 73/22
, C08G 73/10
, H01L 21/312
, H01L 21/768
C08G 73/22
, C08G 73/10
, H01L 21/312 B
, H01L 21/90 S
