特許
J-GLOBAL ID:200903023446826862
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-142769
公開番号(公開出願番号):特開2003-332426
出願日: 2002年05月17日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置の配線を構成する銅を主成分とする導体膜と銅の拡散バリア機能を有する導体膜との密着性を向上させる。【解決手段】 絶縁膜11d,15cに形成された配線溝16bおよび絶縁膜11c,15bに形成されたスルーホール19内に埋込第3層配線L3を有する半導体装置において、上記埋込第3層配線を形成する導体膜であって銅の拡散バリア機能を有する導体膜17b2を化学気相成長法により形成されたチタンシリコンナイトライド、タンタルシリコンナイトライドまたは窒化チタンにより形成し、その導体膜17b2と、埋込第3層配線L3を形成する導体膜であって銅を主成分とする主導体膜18bとの間に、銅との密着性の良い材料からなる導体膜17b3を形成した。
請求項(抜粋):
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;(a)半導体基板上に第1絶縁膜を堆積する工程、(b)前記第1絶縁膜に配線開口部を形成する工程、(c)前記第1絶縁膜および前記配線開口部内に第1導体膜を形成する工程、(d)前記第1導体膜上に、チタンシリコンナイトライド、タンタルシリコンナイトライドまたは窒化チタンのいずれかの材料からなる第2導体膜を化学気相成長法またはALD法により形成する工程、(e)前記第2導体膜上に、銅との密着性の良い材料からなる第3導体膜を形成する工程、(f)前記第3導体膜上に銅または銅を主成分とする第4導体膜を、前記配線開口部内を埋め込んで形成する工程、(g)前記第1、第2、第3、第4導体膜が前記配線開口部内に残されるように前記第1、第2、第3、第4導体膜を除去することにより、前記配線開口部内に前記第1、第2、第3、第4導体膜を有する配線を形成する工程。
IPC (3件):
H01L 21/768
, H01L 21/318
, H01L 21/3205
FI (4件):
H01L 21/318 B
, H01L 21/318 C
, H01L 21/90 A
, H01L 21/88 Q
Fターム (97件):
5F033GG03
, 5F033GG04
, 5F033HH04
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH25
, 5F033HH27
, 5F033HH28
, 5F033HH30
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033JJ17
, 5F033JJ19
, 5F033JJ25
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, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
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, 5F033KK11
, 5F033KK18
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, 5F033KK23
, 5F033KK25
, 5F033KK27
, 5F033KK32
, 5F033KK33
, 5F033KK34
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM05
, 5F033MM07
, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP02
, 5F033PP03
, 5F033PP06
, 5F033PP11
, 5F033PP15
, 5F033PP21
, 5F033PP22
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033PP35
, 5F033QQ09
, 5F033QQ25
, 5F033QQ31
, 5F033QQ35
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, 5F033QQ73
, 5F033QQ75
, 5F033RR01
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, 5F033RR15
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, 5F033RR23
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, 5F033RR29
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, 5F033XX10
, 5F033XX13
, 5F058BA20
, 5F058BC08
, 5F058BC11
, 5F058BC20
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BH12
, 5F058BJ02
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