特許

J-GLOBAL ID：200903023447064680

金属薄膜抵抗体の製造方法

発明者： 水谷 寛
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-036220
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245303
出願日： 1994年03月08日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、主として半導体基板等の集積回路に組み込む金属薄膜抵抗体の製造方法に関し、 CrSiN膜の表面酸化を防止する手段を得る。【構成】 SiO2膜12を有するSi基板11上に CrSiN膜13とCrSi膜14とを連続して積層する工程と、CrSi膜14と CrSiN膜13とをパターニングして、 CrSiN膜13からなる金属薄膜抵抗体17を形成する工程と、 CrSiN膜13表面のCrSi膜14をエッチング除去する工程と、 CrSiN膜13を覆って、SiO2膜12上にAl膜15を被覆する工程と、Al配線15をエッチングして配線膜16を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

下地絶縁膜(2) 上に窒化クロムシリサイド(CrSiN)膜(3) と耐酸化膜(4) を連続して積層する工程と、該耐酸化膜(4) 及び該 CrSiN膜(3) をパターニングして金属薄膜抵抗体(3')を形成する工程と、該 CrSiN膜(3) 表面の該耐酸化膜(4) をエッチング除去する工程と、該 CrSiN膜(3) を覆って、該下地絶縁膜(2) 上に導電膜(5) を被覆する工程と、該導電膜(5) をエッチングして配線膜(6) を形成する工程とを含むことを特徴とする金属薄膜抵抗体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 27/04 P