特許
J-GLOBAL ID：200903023447942220
半導体装置及びその装置に用いる半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285528
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135513
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 高精細化配線が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 下地と第1化合物半導体層との間に設けられた半絶縁性化合物半導体層と、第1化合物半導体層から半絶縁性化合物半導体層の表面中に達していてそれぞれ同数の拡散領域20を含むブロック領域23(23a,23b,23c)に分離するための複数の分離領域22と、各ブロック領域から1つづつ選ばれた拡散領域に対して共通の1つの電極配線が対応する関係で、全てのブロック領域内の拡散領域に対して電極26を介して接続された複数の電極配線32(32a,32b,32c,32d)とを設けて構成する。
請求項（抜粋）：
下地上に第1導電型の第1化合物半導体層と、該第1化合物半導体層中に発光あるいは受光層として設けられた第2導電型の拡散領域と、該拡散領域と電気的に接続されている第2導電型用電極とを具える半導体装置において、前記下地と前記第1化合物半導体層との間に設けられた半絶縁性化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層から該半絶縁性化合物半導体層の表面中に達していてそれぞれ同数の前記拡散領域を含むブロック領域に分離するための複数の分離領域と、各ブロック領域から1つづつ選ばれた前記拡散領域に対して共通の1つの電極配線が対応する関係で、全ての前記ブロック領域内の前記拡散領域に対して前記電極を介して接続された複数の電極配線とを設けて成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 E
, H01L 31/10 H
