特許
J-GLOBAL ID：200903023449311359
多層配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177272
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046038
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 ヴァイアホール底部に露出する、Al系金属等による下層配線3上の自然酸化膜6を除去するに際し、被処理基板にダメージを与えることなく、十分にしかも均一に除去することが可能な多層配線の形成方法を提供する。【構成】 1×1011〜1×1013/cm3 の拡散型プラズマ処理装置により、200V〜800Vの基板バイアスを印加しながら、非酸化性のプラズマ処理を施す。この後、連続的に上層配線層を形成する。【効果】 拡散型の高密度プラズマにより、均一な処理が可能となるとともに、基板バイアス電圧を独立して設定できるので、最適なプラズマ処理が可能となる。これにより、イオン照射ダメージを低減し、低抵抗で均一性にすぐれたヴァイアを有する多層配線の形成が達成される。
請求項（抜粋）：
下層配線に臨む接続孔底部に露出した、該下層配線表面の自然酸化膜を除去した後、連続的に上層配線を形成する工程を含む多層配線の形成方法において、上記自然酸化膜の除去工程は、1×1011/cm3 以上1×1014/cm3 未満のプラズマ密度が得られる拡散型プラズマ発生源を有するプラズマ処理装置を用い、200V以上800V未満の基板バイアス電圧を印加しつつ、非酸化性のプラズマ処理を施すものであることを特徴とする、多層配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 A
, H01L 21/88 N
