光電変換半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225420
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088394
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】短波長感度の良い光電変換半導体装置を実現する。【構成】 N- 型半導体基板1に線状にP+ 型不純物領域2が形成され周辺にはアノード電極6が形成されその外側にはカソード電極7が形成され空乏層はP+型不純物領域2の直下に基板に垂直方向に延びるとともに、基板に平行方向にも広がる。

請求項（抜粋）：

第1導電型シリコン半導体基板と第2導電型不純物領域と電極を有する光電変換半導体装置において、空乏層の幅が前記第2導電型不純物領域の幅より広いことを特徴とする光電変換半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 21/225 , H01L 31/09

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 31/00 A

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