静電保護機能付半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069562
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283687
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】レイアウト面積の増大を招くことなく静電保護用トランジスタのサージ耐圧を向上することができる静電保護機能付半導体装置を提供する。【構成】内部主回路と外部接続用パッドとを結ぶ配線とグラウンド配線との間に静電保護用トランジスタを接続している。静電保護用トランジスタのみマスクを用いた不純物注入により形成されるソース・ドレイン拡散層9をゲート2の下に入り込んだ状態に位置させてゲート長をゲート2の長さより短くしている。この結果、トランジスタに流れる電流がゲート幅に対して均一になる。

請求項（抜粋）：

内部主回路と外部接続用パッドとを結ぶ配線とグラウンド配線との間に静電保護用トランジスタを接続した静電保護機能付半導体装置であって、前記静電保護用トランジスタのみマスクを用いた不純物注入により形成されるソース・ドレイン拡散層をゲートの下に入り込んだ状態に位置させてゲート長を前記ゲートの長さより短くしたことを特徴とする静電保護機能付半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 27/04 , H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 27/10 325 S , H01L 27/08 102 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-274734
特開昭61-268055
特開平3-101269

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