半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-218646
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069780
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路装置の高速化を図ることである。【解決手段】入力バッファ回路において、2段目をBiNMOSノンインバータ102およびCMOSインバータ103で構成し、ドライバ回路をBiNMOSプッシュプル回路106,107で構成する。

請求項（抜粋）：

複数のビット線対、書込データを受ける書込データ線対、前記複数のビット線対をそれぞれ選択するための複数の選択信号を発生する選択信号発生手段、前記複数のビット線対にそれぞれ設けられる複数のビット線負荷手段、および書込動作を指定する書込信号を発生する書込信号発生手段を含み、前記複数のビット線負荷手段の各々は、前記書込信号および対応する選択信号により制御され、対応するビット線対を所定の電位に充電する第1の充電手段、前記書込信号および対応する選択信号により制御され、前記書込データ線対の書込データを対応するビット線対に転送する転送手段、および前記書込データ線対の電位により制御され、対応するビット線対を所定の電位に充電する第2の充電手段を含む、半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G11C 11/414 , H03K 19/01 , H03K 19/08

FI (3件)：

G11C 11/34 315 , H03K 19/01 , H03K 19/08 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-160087
特開平2-044596
特開平3-029189

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