特許
J-GLOBAL ID：200903023460642529
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-302027
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145051
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 2段エピタキシャル層と高濃度埋め込み層を具備することにより、高感度のカソードコモン型のホトダイオード群をIC化する。【構成】 基板(13)上に第1と第2のエピタキシャル層(14)(15)を形成し、周辺回路は第2のエピタキシャル層(15)を利用して構成する。ホトダイオード部(11)は、第2のエピタキシャル層(15)の表面に複数個のP型アノード領域(21)を形成し、第1と第2のエピタキシャル層(14)(15)を共通カソードとして構成する。そして、個々のアノード領域(21)に各々が対応するように、基板(13)表面にN+型の第1の埋め込み層(23)を形成する。
請求項（抜粋）：
受光用ホトダイオードと周辺回路とを一体化した光半導体装置であって、一導電型の半導体基板の上に順次形成した逆導電型の第1と第2のエピタキシャル層と、前記第1と第2のエピタキシャル層を分離する一導電型の分離領域と、前記分離領域で囲まれた第2のエピタキシャル層の表面に形成した複数個のアノード領域と、前記アノード領域下の基板表面に、個々のアノード領域と対応するように形成した複数個の逆導電型高濃度埋め込み層と、前記第2のエピタキシャル層の表面に形成した前記周辺回路を構成する回路素子と、を具備することを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 Z
, H01L 31/10 A
