特許
J-GLOBAL ID：200903023466385293

III族窒化物単結晶自立基板およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法

発明者：
藤原 伸介

藤原 伸介 について

, 
中畑 成二

中畑 成二 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-326384
公開番号（公開出願番号）：特開2009-280482
出願日： 2008年12月22日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】平均転位密度が5×105cm-2以下であり、かつ、割れ難いIII族窒化物単結晶自立基板、およびかかるIII族窒化物単結晶自立基板を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物単結晶自立基板は、1つ以上の高転位密度領域20hと、高転位密度領域20hよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域20kと、を含み、平均転位密度が5×105cm-2以下である。ここで、平均転位密度に対する高転位密度20hの転位密度の比が基板のクラックの伝搬を阻止するのに十分な大きさである。また、本半導体デバイスの製造方法は、III族窒化物単結晶自立基板20pを用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
1つ以上の高転位密度領域と、前記高転位密度領域よりも転位密度が低い複数の低転位密度領域と、を含み、 平均転位密度が5×105cm-2以下であるIII族窒化物単結晶自立基板。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z ,  H01L33/00 C
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA92
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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