特許

J-GLOBAL ID：200903023471123671

研削方法および研削装置

発明者： 奥山 哲雄
出願人/特許権者： 株式会社日平トヤマ
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-043456
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243348
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 環境負荷を小さくし、シリコンよりなる被加工フ物の表面へのダメージを抑えながら、被加工物を研削する技術を提供すること。【解決手段】 例えば表面にデバイスが形成されたシリコンウエハ10のデバイス形成面の裏面側11を研削する。先ずウエハ10の裏面側11の表面に、当該表面を酸化するための薬液例えばオゾン水を供給し、前記裏面側11表面にSiO2膜を形成する。次いでSiに比べてSiO2を選択的に研削する砥石例えばCeO2の砥粒を用いて、前記裏面側11表面を研削する。このようにすると前記オゾン水はSiを溶解するものではないので、前記裏面側11表面の凹部12やクラック13を増大させることなく、このまわりにSiO2膜14が形成され、このSiO2膜を前記砥石を用いて研削すれば、前記裏面側11表面へダメージを与えずに所定量の研削を行うことができる。

請求項（抜粋）：

シリコンよりなる被加工物の表面に、当該被加工物の表面を酸化するための薬液を供給し、前記被加工物の表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、シリコンに比べてシリコン酸化物を選択的に研削する砥石を用いて、前記被加工物の表面を研削する工程と、を含むことを特徴とする研削方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 631 ,  B24B 1/00 ,  B24B 7/20

FI (3件)：

H01L 21/304 631 ,  B24B 1/00 A ,  B24B 7/20

Fターム (7件)：

3C043BB00 ,  3C043CC04 ,  3C049AA04 ,  3C049AC01 ,  3C049AC04 ,  3C049BC01 ,  3C049CB01