特許

J-GLOBAL ID：200903023475254460

選択酸化方法

発明者： 高瀬 俊二
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-238467
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087487
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 バーズビークを必要最小限に抑制することを図る。【解決手段】 先ず、素子活性領域におけるシリコン基板10の上面にシリコン酸化膜パタン12aおよびシリコン窒化膜パタン14aの積層構造を形成する。次に、シリコン基板10の素子分離領域にトレンチ20を形成する。次に、トレンチ20の底に埋込みシリコン酸化膜22aを形成する。次に、埋込みシリコン酸化膜22aの上面に埋込み多結晶シリコン膜24aを形成する。次に、埋込み多結晶シリコン膜24aの熱酸化を行うことによりフィールド酸化膜16を形成する。最後に、素子活性領域に残存しているシリコン窒化膜パタン14bおよびシリコン酸化膜パタン12aを除去する。

請求項（抜粋）：

素子活性領域におけるシリコン基板の上面にシリコン酸化膜パタンおよびシリコン窒化膜パタンの積層構造を形成する第1工程と、前記シリコン基板の素子分離領域にトレンチを形成する第2工程と、前記トレンチの底に埋込みシリコン酸化膜を形成する第3工程と、前記埋込みシリコン酸化膜の上面に埋込み多結晶シリコン膜を形成する第4工程と、前記埋込み多結晶シリコン膜の熱酸化を行うことによりフィールド酸化膜を形成する第5工程と、前記素子活性領域に残存している前記シリコン窒化膜パタンおよびシリコン酸化膜パタンを除去する第6工程とを含むことを特徴とする選択酸化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 27/10 681 D