特許
J-GLOBAL ID:200903023478602893

シルセスキオキサン誘導体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2002009538
公開番号(公開出願番号):WO2003-024870
出願日: 2002年09月17日
公開日(公表日): 2003年03月27日
要約:
本発明はシルセスキオキサン誘導体およびその製造方法に関する。下記式(2)で示される8個のSiを有するかご型のシルセスキオキサンに4個のアルカリ金属が結合した不完全縮合型シルセスキオキサン誘導体を用いて、下記式(1)で示される官能基の導入が容易な完全縮合型シルセスキオキサン誘導体を得る。
請求項(抜粋):
式(1)で示されるシルセスキオキサン誘導体。
IPC (2件):
C07F7/21 ,  C01B33/00
FI (2件):
C07F7/21 ,  C01B33/00

前のページに戻る