半導体素子内部電流計測方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281616
公開番号（公開出願番号）：特開2001-099897
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】ゲート電流とアノード電流の時間変化を定量的に測定する。【解決手段】計測用素子1の定常オン状態におけるキャリア再結合時に発生するフォトン量をゲート電流及びアノード電流それぞれについて測定し、該フォトン量に基づいてゲート電流及びゲートフォトン並びにアノード電流及びアノードフォトンの相関特性を求め、素子動作条件での素子スイッチング動作時におけるゲートフォトン及びトータルフォトンの時間変化を測定し、ゲートフォトン及びトータルフォトンの時間変化に基づいてアノードフォトンの時間変化を求め、ゲート電流とゲートフォトンの相関特性と、ゲートフォトンの時間変化に基づいてゲート電流の時間変化を定量的に測定し、かつアノード電流及びアノードフォトンの相関特性と、アノードフォトンの時間変化に基づいてアノード電流の時間変化を測定する。

請求項（抜粋）：

アノードからカソードに流れる電流をゲートで制御する半導体素子のアノード電流及びゲート電流を計測する半導体素子内部電流計測方法であって、前記半導体素子の定常オン状態におけるキャリア再結合時に発生するフォトン量を測定することにより、ゲート電流とゲートフォトンの相関特性及びアノード電流とアノードフォトンの相関特性を求める第1の工程と、前記半導体素子の素子動作条件での素子スイッチング動作時におけるゲートフォトン及びトータルフォトンの時間変化を測定することによりゲートフォトンの時間変化及びアノードフォトンの時間変化を求める第2の工程と、第1の工程で求められた前記ゲート電流とゲートフォトンの相関特性と、第2の工程で求められたゲートフォトンの時間変化に基づいてゲート電流の時間変化を定量的に測定し、かつ第1の工程で求められたアノード電流とアノードフォトンの相関特性と、第2の工程で求められたアノードフォトンの時間変化に基づいてアノード電流の時間変化を測定する第3の工程とを含むことを特徴とする半導体素子内部電流計測方法。

IPC (4件)：

G01R 31/302 , G01R 1/06 , G01R 19/00 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01R 1/06 F , G01R 19/00 V , H01L 21/66 Q , G01R 31/28 L

Fターム (14件)：

2G011AC03 , 2G011AE03 , 2G032AA00 , 2G032AD01 , 2G035AA12 , 2G035AB01 , 2G035AC02 , 2G035AD01 , 4M106AA10 , 4M106AB20 , 4M106BA14 , 4M106BA20 , 4M106CA01 , 4M106CA19

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