特許

J-GLOBAL ID：200903023483086747

半導体圧力センサ

発明者： 安田 正治
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019740
公開番号（公開出願番号）：特開2000-214033
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 半田接合部分の半田の熱収縮があっても正確な圧力測定のできる半導体圧力センサを提供する。【解決手段】 ダイアフラム11を有する半導体基板1とダイアフラム11に圧力を導入するための圧力導入孔21が形成された台座2とを接合し、台座2の半導体基板1との接合面と反対側の面に金属薄膜4を形成し、金属薄膜4の形成された面とパッケージ3のダイ31とを半田接合してなる半導体圧力センサにおいて、前記半田接合に用いる半田6の内、圧力導入孔21の近傍の半田には、他の部分の半田よりヤング率と熱膨張係数の小さい半田60を用いるようにした。

請求項（抜粋）：

ダイアフラムを有する半導体基板と前記ダイアフラムに圧力を導入するための圧力導入孔が形成された台座とを接合し、該台座の前記半導体基板との接合面と反対側の面に金属薄膜を形成し、該金属薄膜の形成された面とパッケージのダイとを半田接合してなる半導体圧力センサにおいて、前記半田接合に用いる半田の内、前記圧力導入孔の近傍の半田には、他の部分の半田よりヤング率と熱膨張係数の小さい半田を用いるようにしたことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B

Fターム (16件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD01 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF01 ,  2F055FF23 ,  2F055GG12 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA11 ,  4M112GA01