特許

J-GLOBAL ID：200903023490840759

電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 東郷 光洋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167284
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012874
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 電界効果トランジスタの製造方法において、ゲート電極からシリコン基板へのボロンの熱拡散を抑制する。【解決手段】 ボロンまたはBF2のイオン注入時の透過膜に窒素を含む絶縁膜を用いる。また、ゲート電極に燐または砒素を含めた後、燐または砒素よりも高濃度となるボロンまたはBF2のイオン注入を行う。

請求項（抜粋）：

表面チャネル型のp型電界効果トランジスタの製造方法において、ゲート電極に対するボロンまたはBF2のイオン注入時の透過膜に窒素を含む絶縁膜を用いることを特徴とする表面チャネル型のp型電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/265 H ,  H01L 21/265 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭62-130522
  
• 特開平4-006870
  
• 特開平2-054583
  
• 特開平3-050835
  
• 特開昭60-042865