化学気相成長法によって薄膜を製造する方法と装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-502245
公開番号（公開出願番号）：特表2001-509641
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：

【要約】ベンチュリミスト発生装置(141、142、143、16)は、平均直径1ミクロン未満を有する小滴を含むミストを、有機金属化合物を含む液体前駆体から生成する。ミストを混合して次にガス化装置(160)内に入れ、ここでミスト小滴は、前駆体化合物が分解する温度よりも低い温度である100°Cと250°Cとの間でガス化される。ガス化済み前駆体化合物を、絶縁した配管(161、168)を通して通周囲温度でキャリアガスによって輸送して、凝縮と早期分解との両方を防ぐ。ガス化済み前駆体を酸化剤ガスと混合し、ガス状反応物混合物をシャワーヘッド入口(184)を通して堆積用リアクタ内に注入し、リアクタでは基板(185)は300°C〜600°Cの温度に加熱されている。ガス化済み前駆体は基板(185)において分解して、基板表面に固体材料の薄膜(860)を形成する。薄膜(860)を500°C〜900°Cの高温で処理して、多結晶性酸化金属材料、特に強誘電性層状超格子材料を形成する。

請求項（抜粋）：

薄膜(860)を含む集積回路(870)を製造する方法であって:堆積用リアクタ(180)内に基板(185)を提供する工程と;ガス化済み前駆体を提供する工程と;前記ガス化済み前駆体と酸化剤ガスとを前記堆積用リアクタ(180)内で反応させて、前記基板(185)表面に前記薄膜(860)を形成する工程と;を含み、金属化合物を含む液体前駆体を提供することと;ベンチュリミスト発生装置(141、142、143、16)を使用して、前記液体前駆体のミストを形成することと;前記金属化合物の大幅な早期分解を引き起こすこと無く前記ミストをガス化して、前記ガス化済み前駆体を形成することと;を特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40

FI (2件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40

Fターム (38件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA04 , 4K030BA06 , 4K030BA12 , 4K030BA13 , 4K030BA15 , 4K030BA17 , 4K030BA19 , 4K030BA20 , 4K030BA22 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030DA09 , 4K030EA01 , 4K030EA05 , 4K030FA08 , 4K030HA03 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030KA23 , 4K030KA26 , 4K030LA01 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BB05 , 5F058BB06 , 5F058BC03 , 5F058BE01 , 5F058BF04 , 5F058BF05 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ02

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