特許
J-GLOBAL ID：200903023497662872
光電変換モジュール
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須賀 総夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-355330
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158371
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 外部からの電磁波による妨害を受けにくく、かつ、それ自身からの電磁波の放出を実用上支障ない程度に軽減した光電変換モジュールを提供する。さらに、電子回路基板上に回路パターンを設け、インダクタンス素子および(または)キャパシタンス素子を形成したものを提供する。【解決手段】 電子回路基板1の表面に、発光素子2、受光素子3、これら素子を駆動するドライバIC4からなる構成部品を配置した光電変換モジュールにおいて、光の通路を残して構成部品全体を遮蔽ケース5で覆い、電子回路基板として軟磁性物質の粉末を合成樹脂のマトリクス中に分散させてなる電磁波吸収性材料52を使用するとともに、遮蔽ケースとして軟磁性金属の箔の両側に軟磁性物質の粉末を合成樹脂のマトリクス中に分散させてなる電磁波吸収性材料を使用する。電子回路基板上に、インダクタンス素子やキャパシタンス素子からなる電子回路を形成する。
請求項（抜粋）：
電子回路基板の表面に発光素子および(または)受光素子ならびにこれら素子を駆動するためのドライバICからなる構成部品を配置した光電変換モジュールにおいて、光の通路を残して構成部品全体を遮蔽ケースで覆ってなり、上記電子回路基板として軟磁性物質の粉末を合成樹脂のマトリクス中に分散させてなる電磁波吸収性材料を使用するとともに、上記遮蔽ケースとして軟磁性金属の箔の両側に軟磁性物質の粉末を合成樹脂のマトリクス中に分散させてなる電磁波吸収性材料を使用したことを特徴とする光電変換モジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/12 F
, H05K 9/00 M
5E321AA02
, 5E321AA14
, 5E321AA17
, 5E321AA22
, 5E321AA32
, 5E321BB23
, 5E321BB25
, 5E321BB31
, 5E321BB32
, 5E321CC12
, 5E321GG05
, 5E321GG11
, 5F089AA01
, 5F089AC11
, 5F089AC23
, 5F089AC26
, 5F089CA11
, 5F089FA10
