特許
J-GLOBAL ID：200903023500054560
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055813
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259147
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法、特に、シリコンウェーハとその上に気相成長するシリコン膜との界面に不純物が介在しないようにするための前処理方法に関し、シリコンウェーハ表面からボロンを除去し、シリコンウェーハとその上に成長するシリコン膜との界面にボロンを含む層が形成されないようにする前処理方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコンウェーハをマニトールの添加されたフッ酸を使用して洗浄し、洗浄されたシリコンウェーハを空気に晒すことなく乾燥して気相成長装置に搬入し、シリコンウェーハ上にシリコン膜を気相成長するように構成する。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハをマニトールの添加されたフッ酸を使用して洗浄し、該洗浄されたシリコンウェーハを空気に晒すことなく乾燥して気相成長装置に搬入し、前記シリコンウェーハ上にシリコン膜を気相成長する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 351
, H01L 21/304 341
