半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-008721
公開番号（公開出願番号）：特開平5-274872
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】リフレッシュサイクル選択後に不要となるタイミング回路及び選択回路をなくし、セルフリフレッシュ回路のメモリチップ表面における占有面積及び消費電力を節減する。【構成】タイミング回路を、予め定められた互いに異なる複数のセルフリフレッシュサイクルをもつタイミング信号を発生できるように複数の予め準備された選択可能な回路パラメータのうちの選択済みのパラメータにより形成され、セルフリフレッシュエントリ信号SRFEのアクティブレベルに応答して所定のセルフリフレッシュサイクルのタイミング信号T1Kを発生する1つの1Kリフレッシュタイミング回路2とする。セルフリフレッシュサイクル設定回路4を、セルフリフレッシュエントリ信号SRFEのアクティブレベルに応答してタイミング信号T1Kのセルフリフレッシュサイクル対応の選択信号RCSを発生する回路とする。

請求項（抜粋）：

半導体メモリチップのメモリセルアレイを含む内部回路の所定の動作状態への到達に応答してアクティブレベルのセルフリフレッシュエントリ信号を発生する手段と、予め定められた互いに異なる複数のリフレッシュサイクル数の任意の一つのサイクル数でタイミング信号を生ずるように複数の予め準備された選択可能な回路パラメータのうちの選択済みのパラメータにより形成され、前記セルフリフレッシュエントリ信号のアクティブレベルに応答して前記の一つのサイクル数のタイミング信号を発生する手段と、前記タイミング信号に応答して変化するアドレス値をもつアドレス信号を発生する手段と、前記セルフリフレッシュエントリ信号のアクティブレベルに応答して前記一つのサイクル数のタイミング信号のセルフリフレッシュサイクル対応の選択信号を発生する手段と、前記アドレス信号及び選択信号に応答して前記メモリアレイの複数の行の一つを選択しその行に属するメモリセルの記憶データのリフレッシュ動作が行われるように制御を行う手段とを有する半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-057097
特開平2-187987
特開平1-298597

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