特許

J-GLOBAL ID：200903023514356047

導電性薄膜の形成方法

発明者： 豊田 啓 ,  蓮沼 正彦 ,  小塙 佳子 ,  川ノ上 孝 ,  金子 尚史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175149
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021428
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 アモルファス膜または多結晶膜上で配線に用いる導電性薄膜の配向性を向上させ、信頼性の高い導電性薄膜の形成方法を提供する。【構成】 基板上にアモルファス膜または多結晶膜を介し、導電性材料を蒸着して導電性薄膜を形成する工程において、前記半導体基板の温度を50°C以下、前記導電性材料の蒸着粒子の堆積速度を 1.5×1016atoms/cm2 ・sec 以上、 1.0×1018atoms/cm2 ・sec 以下とする。

請求項（抜粋）：

基板上にアモルファス膜または多結晶膜を介し、導電性材料を蒸着する導電性薄膜の形成方法において、前記基板の温度が50°C以下であり、前記導電性材料の蒸着粒子の堆積速度が 1.5×1016atoms/cm2 ・sec 以上、 1.0×1018atoms/cm2 ・sec 以下であることを特徴とする導電性薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 N