特許
J-GLOBAL ID:200903023516249337
プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
大川 晃
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-023454
公開番号(公開出願番号):特開2000-223298
出願日: 1999年02月01日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【課題】 プラズマ処理装置において、平面アンテナ部材の中心部に対向する処理空間の電界が強くなる状態を緩和すると共に、プラズマ形成領域におけるプラズマ密度の不均一性を緩和する。【解決手段】 マイクロ波発生器50にて発生したマイクロ波は導波管52により平面アンテナ部材44に供給される。平面アンテナ部材44には、互いの間隔がマイクロ波の導波管52内における管内波長より短く、かつそれぞれの長さが前記管内波長の1/2より短い複数のスリット60が形成されている。これらのスリットは、軸対称性を有しないパターンで平面アンテナ部材44の中心部以外の領域に配置されている。
請求項(抜粋):
被処理体を載置する載置台を内部に設けた気密な処理容器と、マイクロ波発生手段と、このマイクロ波発生手段が発生したマイクロ波を前記処理容器へ導入するマイクロ波導入手段と、このマイクロ波導入手段に接続され、かつ前記載置台に対向して配置された平面アンテナ部材とを備えたプラズマ処理装置であって、前記平面アンテナ部材には、互いの間隔が前記マイクロ波導入手段内におけるマイクロ波の波長より短く、かつそれぞれの長さが前記波長の1/2より短い複数のスロットが、軸対称性を有しないパターンで前記平面アンテナ部材の中心部以外の領域に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件):
H05H 1/46
, C23C 16/511
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
FI (6件):
H05H 1/46 B
, C23C 16/50 E
, C23F 4/00 D
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 B
Fターム (24件):
4K030FA02
, 4K030KA15
, 4K057DA11
, 4K057DB06
, 4K057DD01
, 4K057DE06
, 4K057DE08
, 4K057DM29
, 4K057DM40
, 4K057DN01
, 5F004AA01
, 5F004BB14
, 5F004BD01
, 5F004BD03
, 5F004BD04
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DB01
, 5F045AA09
, 5F045DP04
, 5F045EB02
, 5F045EB03
, 5F045EH02
, 5F045EH03
引用特許:
審査官引用 (1件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-153357
出願人:東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩
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