特許
J-GLOBAL ID：200903023519793330
低温CVDによるデジタルマイクロミラーデバイス製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-253961
公開番号（公開出願番号）：特開平8-201708
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【課題】 マイクロメカニカルデバイス用の進歩した支柱を作製する方法。【解決手段】 基板上の、支柱(16、23)を配置すべきすべての場所に導電層(33、71)を堆積させる。次に、スペーサー層(41、81)を堆積させ、エッチしてビア(41a、81a)を形成する。各ビア(41a、81a)が支柱(16、23)の外側表面を定義する。各ビアの底面は導電層(33、71)になっている。これにより、アルミニウムCVDプロセスがビア(41a、81a)を選択的に充填することができ、従って支柱(16、23)を形成できる。
請求項（抜粋）：
支柱によって支えられた少なくとも1個の機械的要素を有するマイクロメカニカルデバイスのための前記支柱を作製する改良された方法であって、基板上へ導電層を堆積させること、前記導電層を覆ってスペーサー層を堆積させること、前記スペーサー層中へ支柱の外側表面を定義するビアをエッチングすることであって、ビアの底部が前記導電層になるまで前記スペーサー層を貫通してエッチングすること、前記スペーサー層の上部をアルミニウムの化学蒸着(CVD)に曝すこと、および前記ビアが所望の高さにアルミニウムで充填されるまで前記蒸着工程を続けること、の工程を含む方法。
IPC (4件)：
G02B 26/08
, B29D 11/00
, G02B 5/08
, C23C 16/06
