レジストマスクの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-160839
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031720
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】半導体素子の金属配線形成時、簡単な工程で対金属エッチングの選択性を高めるレジストマスクを形成する。【構成】レジストマスクの形成方法において、フォトレジストパターン3を形成した後、珪素含有化合物のイオン4の照射を行ってレジストパターン3を改質し、レジストパターンの上面及び側面の表面に比較的厚いシリル化物層の改質膜5を形成させる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上に導体パターンを形成するためのレジストマスクの形成方法であって、上記半導体ウェハの表面に導体膜を形成した後、さらにフォトレジスト膜を形成し、前記導体パターンの形成に必要なフォトレジストパターンを形成した後、イオンビームを照射してこのフォトレジストパターンの上面及び側面に改質層を形成することを特徴とするレジストマスクの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03C 5/00 , G03F 1/08 , H01L 21/3065 , H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/30 570 , H01L 21/302 H

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