特許

J-GLOBAL ID：200903023532995812

ステンシルマスク形成方法

発明者： 橋本 和彦 ,  遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022301
公開番号（公開出願番号）：特開平5-216216
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 縮小転写型電子ビームリソグラフィー技術に関するものであり、機械的強度にすぐれた、熱安定性の高い、正確で薄い、実用性の高いステンシルマスクを容易に形成する。【構成】 第一の半導体シリコン基板11の表面に無機膜12を形成し、無機膜上12に第二の半導体シリコン基板13を張り合わせ、熱処理する。これを薄膜化した後、基板の両面に保護膜14を形成し、第一の半導体シリコン基板の裏面の保護膜14上にパターンを形成しマスクとして、保護膜14をエッチングし基板11の裏面を露出させ、この保護膜パターンをマスクとして露出した基板11を裏面からエッチングし、無機膜12を露出させ、保護膜14をすべて除去する。さらに基板13の表面上にレジストパターン15を形成し、これをマスクとして基板13、および無機膜12をエッチングし、無機膜を貫通させることによってパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

第一の半導体シリコン基板の表面に無機膜を形成する工程と、前記無機膜上に第二の半導体シリコン基板を張り合わせ、熱処理する工程と、前記張り合わせたシリコン基板をエッチングしてシリコン基板を薄膜化する工程と、前記半導体シリコン基板の両面に保護膜を形成し、前記第一の半導体シリコン基板の裏面の保護膜上にパターンを形成し、前記パターンをマスクとして、前記保護膜をエッチングし前記第一の半導体シリコン基板の裏面を露出させ、前記保護膜パターンをマスクとして前記露出した半導体シリコン基板を裏面からエッチングし、前記無機膜を露出させ、前記保護膜をすべて除去する工程と、前記第二の半導体シリコン基板の表面上にリソグラフィー技術を用いてレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記第二の半導体シリコン基板、および無機膜をエッチングし、無機膜を貫通させることによってパターンを形成する工程とを備えて成ることを特徴とするステンシルマスク形成方法。

IPC (2件)：

G03F 1/16 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-126630
  
• 特公昭39-029609
  
• 特開平3-257814