特許
J-GLOBAL ID：200903023536649021
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-209336
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061234
出願日： 1992年08月06日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】素子動作領域内の電気的に活性な金属不純物の濃度を十分に低くし、かつ、結晶欠陥を不活性化した半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】p型Si基板1の表面から0.2μmより深い領域内に、水素及びフッ素からなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を含む不活性化層4を形成し、基板を熱処理し、素子動作領域内の電気的に活性なFe原子13を不活性化する半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面から0.2μmより深い領域内に、水素及びフッ素からなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を含む不活性化層を形成する工程と、半導体基板を熱処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 27/108
