特許

J-GLOBAL ID：200903023537090001

熱アシスト方式で書き込まれ、磁気トンネル接合を有する磁気メモリ、及びその書き込み方法

発明者： ノジール, ジャン-ピエール ,  ディエニー, ベルナール ,  ルドン, オリビエ ,  スーザ, リカールド ,  プレジビヌ, ヨーアン-ルシアン
出願人/特許権者： セントレ ナショナル ドゥ ラ レシェルシェ サイエンティフィーク ,  コミツサリア タ レネルジー アトミーク
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-500269
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525840
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

本発明は、熱アシスト方式で書き込まれる磁気メモリに関し、本磁気メモリにおいてはメモリ点(40)の各々が磁気トンネル接合から構成されており、メモリの、トンネル接合を形成する層の平面に平行な断面が円形又はほぼ円形である。前記トンネル接合は、少なくとも、磁化方向が固定のトラップ層(44)、磁化方向が可変の自由層(42)、及び自由層(42)とトラップ層(44)の間に配置された絶縁層(43)を備える。本発明によれば、自由層(42)は、接触により磁気的に結合された少なくとも1つの軟質磁性層と1つのトラップ層とから形成され、読み込みメモリ又は休止メモリの動作温度は自由層及びトラップ層それぞれのブロック温度より低く選択される。

請求項（抜粋）：

熱アシスト方式で書き込まれる磁気メモリであって、磁気メモリ(40、60)の各メモリ点が磁気トンネル接合により形成されており、磁気トンネル接合の、トンネル接合を形成する層の平面に平行な断面が、円形又は実質的に円形であり、前記トンネル接合が、少なくとも、 -磁化の方向が固定の「トラップ層」と呼ばれる基準磁性層(44、64)、 -磁化の方向が可変の「自由層」と呼ばれる記憶磁性層(42、62)、及び -自由層(42、62)とトラップ層(44、64)との間に配置された絶縁層 を備え、 記憶層(42、62)が、少なくとも1の軟質の、つまり磁気異方性の低い磁性層と、トラップ層(41、61)とから形成されており、これら2つの層が接触により磁気的に結合しており、 読み出し又は静止状態にある時のメモリの動作温度が、それぞれ自由層及びトラップ層のブロック温度未満に選択されている、磁気メモリ。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z

Fターム (39件)：

4M119AA01 ,  4M119AA06 ,  4M119AA07 ,  4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC03 ,  4M119CC05 ,  4M119CC06 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD24 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE03 ,  4M119EE22 ,  4M119EE24 ,  4M119EE27 ,  4M119EE29 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF16 ,  4M119KK15 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB71 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092BC47

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 多段セルの磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-575386   出願人：エイジェンシーフォーサイエンス,テクノロジーアンドリサーチ