特許

J-GLOBAL ID：200903023540097807

半導体装置と半導体モジュール

発明者： 中西 英俊 ,  米田 辰雄 ,  碓氷 康典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206296
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054747
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 逆バイアス印可時のIGBTの素子破壊を効果的に防止しうる、単一のチップ中にIGBTとダイオードの双方が形成された半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、p型半導体基板と、前記p型半導体基板上に形成されたn型半導体層と、前記n型半導体層の表面領域に形成され、p型ベース領域と、前記p型ベース領域中に形成されたn型エミッタ領域およびゲート酸化膜を介して前記p型ベース領域上に形成されたゲート電極とを有する複数のセルと、前記セルが形成された領域の外周囲に形成されたp型不純物拡散領域と、前記p型不純物拡散領域の外周囲に形成されたn型不純物拡散領域とを有する二重拡散型トランジスタと、前記p型不純物拡散領域をアノード領域とし、前記n型不純物拡散領域をカソード領域として動作するpnダイオードとを有する。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板と、前記p型半導体基板上に形成されたn型半導体層と、前記n型半導体層の表面領域に形成された複数の二重拡散型トランジスタセルと、前記二重拡散型トランジスタセルが形成される領域であるセル形成領域の外周囲に形成されたp型不純物拡散領域と、前記p型不純物拡散領域の外周囲に形成されたn型不純物拡散領域とを有し、かつ、前記p型不純物拡散領域をアノード領域とし、前記n型不純物拡散領域をカソード領域とするpnダイオードを同一チップ内に有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (5件)：

H01L 29/78 657 A ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 655 F