特許

J-GLOBAL ID：200903023540848403

嵌合型接続端子の製造方法

発明者： 塩谷 準 ,  藤井 淳彦 ,  中村 篤
出願人/特許権者： 株式会社ハーネス総合技術研究所 ,  住友電装株式会社 ,  住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110898
公開番号（公開出願番号）：特開平10-302867
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下できる嵌合型接続端子の製造方法を提供する。【解決手段】 銅の母材1の表面に錫めっき層2を形成する。これに150°C以上170°C以下の温度条件において熱処理を施す。この温度域では、銅は錫中を容易に拡散して錫めっき層2が母材1との界面近傍から順にCu6Sn5層3に変換され、合金化が促進される。170°Cよりも大きい温度領域では、金属間化合物Cu3Snが安定して成長するが、柱状に成長するためその先端が錫めっき層2の表面に現出し、錫めっき層2の表面の凹凸が激しくなり、耐食性等が劣化する。これに対して、Cu6Sn5層3は錫めっき層2の表面と平行に均一に成長するため、錫めっき層2を薄く残留させるような熱処理条件とすれば、安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下することができる。

請求項（抜粋）：

雄部品および雌部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子の製造方法であって、(a) 前記雄部品または前記雌部品のうち少なくとも一方の銅母材の表面に錫めっき層を形成するめっき工程と、(b) 前記錫めっき層が形成された前記銅母材に熱処理を行って前記錫めっき層のうち前記銅母材との界面近傍のみをCu6Sn5に合金化する熱処理工程と、を備えることを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。

IPC (3件)：

H01R 13/03 ,  C25D 7/00 ,  H01R 43/16

FI (3件)：

H01R 13/03 D ,  C25D 7/00 G ,  H01R 43/16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 挿入力が弱くてよい、めすおよびおすコネクタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-309119   出願人：ユナイテッドテクノロジーズオートモーテイブ,インコーポレイテッド
• スズメツキホイスカーの抑制方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-207236   出願人：三井金属鉱業株式会社