特許
J-GLOBAL ID：200903023542453023
半導体接合層の製造方法及び太陽電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-013131
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218368
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 接合層を形成する場合に、結晶粒界部分への不純物の深い拡散を防止して、より高性能でかつ発電コストが低減された太陽電池を実現することができる半導体接合層の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第2導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第2導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。
Fターム (5件)：
5F051AA03
, 5F051CB20
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051GA04
