特許

J-GLOBAL ID：200903023544002797

細線状エッチングマスクの製造方法

発明者： 北田 秀樹 ,  有本 宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223794
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077180
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 量子細線、回折格子等の微小間隔を有する平行細線を形成するための細線状エッチングマスクの製造方法に関し、サイドウォール法により高精度の細線状エッチングマスクを製造する方法を提供する。【構成】 被エッチング基板1の上に第1の材料(レジスト)からなる細条2を形成する工程と、第1の材料からなる細条2を含む全面に第2の材料(SiO2)からなる被膜3をCVD法等の気相成長法によって堆積する工程と、第2の材料からなる被膜3を異方性ドライエッチングすることによって第1の材料からなる細条2の側壁に第2の材料からなるサイドウォール3aを形成する工程と、第1の材料からなる細条2を除去して細線状エッチングレジストマスク3bを残す工程を採用する。この工程を繰り返すことによって、より微細な細線状エッチングマスクを製造することができる。

請求項（抜粋）：

被エッチング基板の上に第1の材料からなる細条を形成する工程と、第1の材料からなる細条を含む全面に第2の材料からなる被膜をCVD法等の気相成長法によって堆積する工程と、第2の材料からなる被膜を異方性ドライエッチングすることによって第1の材料からなる細条の側壁に第2の材料からなるサイドウォールを形成する工程と、第1の材料からなる細条を除去する工程を含むことを特徴とする第2の材料からなる細線状エッチングマスクの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316