特許
J-GLOBAL ID：200903023545098810
レーザ・キャビティ内の非線形結晶によって第2高調波光を発生する半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288142
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226567
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 青色光を発生できるコンパクトで効率の高い半導体レーザを提供する。【構成】 GaAs基板11上にGaAsまたはAlGaAsから成る第1反射器13,As化合物から成る活性層23を含む光増幅器15,InまたはInGaPから成る接着層17をそれぞれエピタキシャル成長させる。つぎにGaP基板41上にAlPまたはAlGaPから成る第2反射器21,AlGaPから成る非線形結晶層19をそれぞれエピタキシャル成長させたものを裏返しにして、非線形結晶19を接着層17に押圧し,温度を上げて接着層17で両者を融着する。【効果】 反射器21はこの面発光レーザの基本波を反射するが第2高調波は透過する。従って非線形結晶層19を前後に伝搬する基本波により青色の第2高調波が効率よく発生する。
請求項（抜粋）：
ガリウム・ヒ素基板と、基板に隣接しており、ヒ素化合物から成り、所望の基本周波数の光を反射する第1反射器と、第1反射器に隣接しており、ヒ素化合物から成る光増幅器と、光増幅器に隣接した接着層と、接着層を通って光増幅器に融着され、リン化合物から成る非線形結晶と、非線形結晶に隣接しており、リン化合物から成り、前記基本周波数の光を反射し、基本周波数の2倍の周波数の光を伝導する第2反射器とから成っており、第1、及び第2反射器がその間に、第1反射器から光増幅器、接着層、及び非線形結晶を通って、第2反射器まで延びるレーザ・キャビティを画定しており、レーザが外部エネルギー源に応答してレーザ・キャビティ内で基本周波数の光を発生し、非線形結晶が発生した光をその光の周波数の2倍の周波数を有する光に変換し、これによって周波数倍増光のビームを第2反射器を通して提供する様に作動することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, G02F 1/37
, H01S 3/094
, H01S 3/109
