特許

J-GLOBAL ID：200903023547999709

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 森本 倫弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095088
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288496
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】縮小化したCCD型固体撮像装置の単位画素の暗電流を低減させ、鮮明な画像が得られるようにする。【構成】半導体基板の表面に設けられた導電型がP型の層と前記P型の層内に設けられた導電型がN型の層と前記N型の層の表面に設けられた導電型がP型のP+ 領域とで構成されるフォトダイオードが形成され、前記フォトダイオードの周囲を取り巻く領域のうち前記フォトダイオードの電荷を取り出すための読み出し部を除く領域に、前記P+ 領域より不純物濃度が高く、その深さが前記P+ 領域より深い導電型がP型のP++領域が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に設けられた導電型がP型の層と前記P型の層内に設けられた導電型がN型の層と前記N型の層の表面に設けられた導電型がP型のP+ 領域とで構成されるフォトダイオードを有し、前記フォトダイオードの周囲を取り巻く領域のうち前記フォトダイオードの電荷を取り出すための読み出し部を除く領域に、前記P+ 領域より不純物濃度が高く、その深さが前記P+ 領域より深い導電型がP型のP++領域が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-075383
  
• 特開平2-168670
  
• 特開平4-106975