特許

J-GLOBAL ID：200903023551975423

テルル酸化物を含む超薄膜のパターニング方法及びこれによって得られたテルル酸化物を含む超薄膜

発明者： 中村 徹 ,  保田 諭 ,  宮前 孝行 ,  小林 伸彦 ,  松本 睦良 ,  近藤 寛 ,  太田俊明
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-272164
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033071
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】低コストで簡便に優れた物性を有する微細加工されたテルル酸化物系の超薄膜を提供する。これにより、テルル酸化系を用いた各部品の軽量化、省エネ化、高密度化を可能にする。【解決手段】固体表面に有機テルル化合物の薄膜を形成し、酸素の存在下で光により選択的に酸化させるテルル酸化物を含む超薄膜のパターニング方法及び前記固体表面が導電性を有する金属、半導体、導電性金属酸化物および絶縁体から選ばれたものである同テルル酸化物を含む超薄膜のパターニング方法並びに同テルル酸化物を含む超薄膜のパターニング方法によって得られた薄膜の厚さが0.2〜100nmであるテルル酸化物を含む超薄膜。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

固体表面に有機テルル化合物の薄膜を形成し、酸素の存在下で光により選択的に酸化させることを特徴とするテルル酸化物を含む超薄膜のパターニング方法。

IPC (1件)：

H01L21/316

FI (1件)：

H01L21/316 C

Fターム (6件)：

5F058BA20 ,  5F058BC01 ,  5F058BF11 ,  5F058BF46 ,  5F058BF78 ,  5F058BJ10

引用特許：

出願人引用 (8件)

• 真空紫外光による酸化膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-087520   出願人：佐々木亘, 黒澤宏, 横谷篤至, 宮崎沖電気株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 沖電気工業株式会社
• 絶縁被膜および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-223510   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭50-046317
  
• テルル酸化物を含む超薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-200926   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 金属酸化物薄膜パターン形成用組成物及びその製造方法、金属酸化物薄膜パターンの形成方法並びに電子部品及び光学部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-181784   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 特開昭56-102847
  
• 特開昭56-054211
  
• 特開昭56-096704