特許
J-GLOBAL ID：200903023552144410
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-242147
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082533
出願日： 1991年09月21日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 エミッタ注入効率を向上させ、電流増幅率(hFE)の大きい半導体装置を得る。【構成】 エミッタ層44の表面に膜厚0.5〜2〔nm〕の酸化膜40を形成し、この酸化膜40上に膜厚0.5〜2〔nm〕の窒化膜41を形成し、窒化膜41上にポリシリコンエミッタ電極42を形成した。酸化膜40および窒化膜41の総膜厚は1〜3〔nm〕の範囲である。酸化膜40は窒化膜41よりも半導体基板300に対する界面準位密度が小さく、かつ窒化膜41は酸化膜40よりも耐熱性に優れたものである。【効果】 酸化膜40により、エミッタ層44およびポリシリコンエミッタ電極42の界面におけるキャリアの再結合を低減でき、窒化膜41によりエミッタ層44の形成時の熱処理による酸化膜40の破壊を防止することができる。
請求項（抜粋）：
コレクタとなる第1導電型の単結晶性の半導体基板の表面に形成したベースとなる第2導電型の第1の半導体領域と、前記半導体基板上に形成したエミッタ電極となる第1導電型の多結晶半導体膜と、この多結晶半導体膜から前記第1の半導体領域内に第1導電型の不純物を拡散させて形成したエミッタとなる第1導電型の第2の半導体領域とを備えた半導体装置であって、前記第2の半導体領域と前記多結晶半導体膜との間に前記第2の半導体領域に接して第1の絶縁膜を設けるとともに前記多結晶半導体膜に接して第2の絶縁膜を設け、前記第1の絶縁膜として前記第2の絶縁膜よりも前記半導体基板に対し界面準位密度の小さい絶縁膜を用い、かつ前記第2の絶縁膜として前記第1の絶縁膜よりも耐熱性に優れた絶縁膜を用いた半導体装置。
IPC (2件)：
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