特許
J-GLOBAL ID：200903023553533100
多波長半導体レーザ装置とその製造方法及び波長多重光伝送装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183639
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015858
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 1つの半導体素子で多波長の安定したレーザ発振を得て、波長多重光伝送装置を小型化、低消費電力化する。【解決手段】 MQW活性層1とグレーティング部2とを二つのクラッド層3,4で挟んだ構造を有する多波長半導体レーザ装置10において、グレーティング部2は、複数の波長のレーザ光6の各々の発振波長にそれぞれ対応したピッチ間隔を有する複数の回折格子5a,5b,5c,5dで形成され、MQW活性層1は、複数のウエル層8a,8b,8c,8dを有し、これらのウエル層は、異なった厚さでそれぞれ形成される。
請求項（抜粋）：
MQW活性層とグレーティング部とを、二つのクラッド層で挟んだ構造を有する多波長半導体レーザ装置において、前記グレーティング部は、複数の波長のレーザ光の各々の発振波長にそれぞれ対応したピッチ間隔を有する複数の回折格子で形成され、前記MQW活性層は、複数のウエル層を有し、該複数のウエル層は、異なった厚さでそれぞれ形成されること、を特徴とする多波長半導体レーザ装置。
Fターム (7件)：
5F073AA44
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA89
, 5F073BA02
, 5F073EA29
