特許
J-GLOBAL ID:200903023554292467
アンモニアガスセンサ及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
菅原 正倫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-361413
公開番号(公開出願番号):特開2003-161714
出願日: 2001年11月27日
公開日(公表日): 2003年06月06日
要約:
【要約】【課題】 小型で、電解溶液の交換、補充等の頻繁なメンテナンスが不要で、低濃度域での感度が良好であり、しかも欠陥等の少ない高品質の感応膜を得やすいアンモニアガスセンサを提供する。【解決手段】 アンモニアガスセンサ1は、絶縁基板2上の一対の電極3,4にまたがる形で、アンモニア検知活性を有する導電性高分子(アンモニア活性高分子)を主体に構成されたアンモニア感応膜7を形成した検出用素子を有する。アンモニア感応膜は、アンモニア活性高分子として、主鎖と、該主鎖に結合し、かつスルホン酸基を有する側鎖とを有する高分子(代表的なものとして、ポリアニリンスルホン酸)を主体とするものが用いられ、かつ、有機バインダ成分は側鎖にスルホン酸基を有する半導体性高分子を主体とするものとされる。
請求項(抜粋):
絶縁基板上の一対の電極にまたがる形で、アンモニア検知活性を有する導電性高分子(以下、アンモニア活性高分子という)を主体に構成されたアンモニア感応膜を形成した検出用素子を有し、前記アンモニア感応膜は、前記アンモニア活性高分子として、主鎖と、該主鎖に結合し、かつスルホン酸基を有する側鎖とを有する高分子を主体とするものが用いられ、かつ、有機バインダ成分として側鎖にスルホン酸基を有する半導体性高分子を主体とするものとされることを特徴とするアンモニアガスセンサ。
IPC (4件):
G01N 27/12
, C08L 25/18
, C08L 79/00
, C08L101/02
FI (5件):
G01N 27/12 C
, G01N 27/12 M
, C08L 25/18
, C08L 79/00 A
, C08L101/02
Fターム (25件):
2G046AA10
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BB04
, 2G046BC04
, 2G046BC05
, 2G046BC09
, 2G046DC13
, 2G046EA02
, 2G046EA04
, 2G046FA01
, 2G046FE00
, 2G046FE03
, 2G046FE28
, 2G046FE31
, 2G046FE35
, 2G046FE39
, 2G046FE46
, 4J002BC122
, 4J002BM001
, 4J002CM011
, 4J002CM021
, 4J002CN001
, 4J002GD00
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