不揮発性メモリ装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-015475
公開番号（公開出願番号）：特開2002-230965
出願日： 2001年01月24日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 MRAMの記録信頼性を向上する。【解決手段】 y方向に延在する読出しワード線WLRおよび書込みワード線WLWと、x方向に延在する書込み読出しビット線BLW/Rおよび書込みビット線BLWを有し、ワード線およびビット線の交点にメモリセルMCを配置する。メモリセルMCはサブセルSC1およびサブセルSC2を含み、サブセルSC1には磁気抵抗素子MTJ1,MTJ2および選択トランジスタTr1を、サブセルSC2には磁気抵抗素子MTJ3,MTJ4および選択トランジスタTr2を含む。磁気抵抗素子MTJ1とMTJ2は並列に接続され、また、磁気抵抗素子MTJ3とMTJ4は並列に接続される。そしてサブセルSC1とSC2は、書込み読出しビット線BLW/Rと接地との間で直列に接続される。

請求項（抜粋）：

磁化方向によってその抵抗値が変化する磁気抵抗素子をメモリセルに含み、前記メモリセルで1ビットの情報を記録する不揮発性メモリ装置であって、前記メモリセルには、前記磁気抵抗素子を少なくとも1つ含むサブセルを複数有し、前記サブセルが直列または並列に接続されている不揮発性メモリ装置。

IPC (4件)：

G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (16件)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083JA02 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR40

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