特許
J-GLOBAL ID：200903023560333116
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106792
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299781
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 駆動電圧を増大することなく駆動電流が低減され、しかも少ない工程で製造することができる半導体発光素子を提供する。【構成】 p型クラッド層4のメサストライプ部の両側に形成された半導体層に両性不純物がドーピングされている。p型クラッド層4においては、該メサストライプ部の側面10と該メサストライプ部以外の面11では混晶の結晶面が異なるため、該p型クラッド層4上に積層形成された半導体層6、7は、該両性不純物によって該側面上ではp型半導体層6b、7bとなり、メサストライプ部以外の面ではn型半導体層6a、7aとなる。よって、メサストライプ部底部の幅はn型半導体層6a、7aによって制限されて電流注入幅が狭くなるので、注入電流は低減されるが、メサストライプ部の上部の実質的な開口面積は広がるので駆動電圧は増大しない。
請求項（抜粋）：
n型GaAs基板上に、該基板に格子整合するAlGaInP系混晶を用いて形成したダブルヘテロ型積層構造を有する半導体発光素子であって、n型(AltGa1-t)sIn1-sP(tは0より大で1以下であり、sは0より大で1未満である)からなるクラッド層、(AluGa1-u)vIn1-vP(uは0以上1未満であり、vは0より大で1未満である)からなる活性層、およびメサストライプ部を有するp型(AltGa1-t)sIn1-sPからなるクラッド層がこの順に積層形成され、該p型(AltGa1-t)sIn1-sPクラッド層のメサストライプ部の両側に、両性不純物がドーピングされたAlGaAs層および、該p型(AltGa1-t)sIn1-sPクラッド層よりもAl混晶比が小さく、かつ両性不純物がドーピングされた(AlpGa1-p)qIn1-qP(pは0以上1未満であり、qは0より大で1未満である)層のうち少なくとも一方の層が積層形成された半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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