特許

J-GLOBAL ID：200903023562250285

II-VI族化合物半導体成長用基板

発明者： 小沢 正文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-340655
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124854
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 取り扱いが容易であり、ラッピングや劈開などを行う際に割れなどの損傷が生じないII-VI族化合物半導体成長用基板を提供する。【構成】 II-VI族化合物半導体の成長に用いるGaAs基板またはZnSe基板の厚さを40〜200μmに選ぶことにより、そのそり量|x|が0<|x|≦1.0mmを満たすようにする。

請求項（抜粋）：

GaAsから成り、かつその大きさが50.8mmであるときのそり量|x|が0<|x|≦1.0mmを満たすことを特徴とするII-VI族化合物半導体成長用基板。

IPC (7件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18