特許

J-GLOBAL ID：200903023562730708

半導体装置の製造方法

発明者： 安田 孝
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288688
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129217
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 良好なプロファイルを形成する。【構成】 図1(a)は側面から見た様子を、図1(b)は上面から見た様子を示したものである。ウェーハ(基板)101は、不純物イオン(注入種)201の注入角度θが0〜90度の範囲で連続または不連続に傾斜し、また、ウェーハ101の面の中心を通る垂線を軸として連続または不連続に回転している。これにより、不純物イオン201のエネルギーをかえるのと等価なるものと考えられる。

請求項（抜粋）：

不純物イオン注入によって基板に形成された素子からなる半導体装置の製造方法であって、前記不純物イオン注入時に、その不純物イオンの入射方向に対して前記基板面の角度を変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 301 L