特許

J-GLOBAL ID：200903023569742264

半導体記憶装置

発明者： 米田 健司
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-243064
公開番号（公開出願番号）：特開平5-081711
出願日： 1991年09月24日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明はトンネル電流による書き込みおよび読みだし機能を備えた、半導体記憶装置および読みだし専用半導体記憶装置に関するものである。【構成】 本発明によれば、半導体もしくは導電性基板上に形成された、第一のシリコン酸化膜/シリコン窒化膜/第二のシリコン酸化膜からなる半導体記憶ディスクに、前記ディスクとは0.5〜5μmの位置に位置する、先端にわずか1原子を有する針状電極からトンネル電流を流すことにより、前記、半導体記憶ディスクの第一および第二のシリコン酸化膜/シリコン窒化膜界面およびシリコン窒化膜中に電荷を蓄積し記憶を行い、読みだし時にはこれとは逆の操作により読みだしを行う半導体記憶装置を提供するものである。

請求項（抜粋）：

一導電型のシリコン基板上もしくは導電性基板上に膜厚2〜20nmの第一のシリコン酸化膜層と、前記第一のシリコン酸化膜層上に膜厚5〜20nmのシリコン窒化膜層と、前記シリコン窒化膜層上に膜厚2〜20nmの第二のシリコン酸化膜層を有し、これら第一のシリコン酸化膜/シリコン窒化膜/第二のシリコン酸化膜層から成る複合絶縁膜に、前記シリコン基板もしくは導電性基板を接地した状態で、前記複合絶縁膜と0.5〜5μmまで近接した位置に位置し、それ自体があらゆる方向に対して自由に所定の距離移動できる機構を有する、導電性でかつ先端部にはわずか1原子しか存在しない非常に鋭利な針状電極に、正または負の電圧を印加し、これにより針状電極から複合膜との空隙を伝わって流れるトンネル電流により、前記複合膜中の第一のシリコン酸化膜/シリコン窒化膜界面,シリコン窒化膜中および第二のシリコン酸化膜/シリコン窒化膜界面に針状電極に印加した電圧に応じた正または負の電荷を蓄積することにより書き込みを行い、さらに、前記複合絶縁膜に蓄積された電荷を前記書き込みとは逆の方法により、電流もしくは静電容量として検出することにより読みだしを行うことを特徴とし、さらに、前記シリコン基板もしくは導電性基板か針状電極の一方、もしくは両方を物理的に移動させることにより大容量の書き込み読みだしを可能とすることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11B 9/00 ,  G11B 9/06 ,  G11B 11/08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-095739
  
• 特開平2-187944
  
• 特開昭61-220133