半導体装置の製法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-047566
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250548
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】耐湿信頼性に優れた常温で固体のエポキシ樹脂系封止材料により、樹脂封止作業が容易な半導体装置の製法を提供する。【構成】基板2の配線電極に、半田4を介して半導体素子5の電極部を当接し搭載する。ついで、常温で固体の封止用樹脂組成物(A)を上記基板2の素子5搭載面に載置して加熱溶融することにより、上記基板2と半導体素子5との空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂組成物を充填・硬化させて上記基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層6を形成する。(A)下記の(a)〜(c)成分を含有し、上記(c)成分の含有割合が封止用樹脂組成物全体の50〜90重量%の範囲に設定された封止用樹脂組成物。(a)エポキシ樹脂。(b)ノボラック型フェノール樹脂。(c)最大粒径が30μm以下に設定されたシリカ粉末。

請求項（抜粋）：

配線回路基板の配線電極に、半田を介して半導体素子の電極部を当接して加熱することにより基板に半導体素子を搭載し、ついで、常温で固体の封止用樹脂組成物(A)を上記基板の素子搭載面に載置して加熱溶融することにより、上記基板と半導体素子との空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂組成物を充填・硬化させて上記基板と半導体素子との空隙を樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製法。(A)下記の(a)〜(c)成分を含有し、上記(c)成分の含有割合が封止用樹脂組成物全体の50〜90重量%の範囲に設定された封止用樹脂組成物。(a)エポキシ樹脂。(b)ノボラック型フェノール樹脂。(c)最大粒径が30μm以下に設定されたシリカ粉末。

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