特許

J-GLOBAL ID：200903023580952220

半導体用酸化膜とその形成方法

発明者： 岩元 一喜
出願人/特許権者： イノテック株式会社
代理人 (1件)： 嶋 宣之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-362153
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176829
出願日： 1997年12月11日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 超高速処理化に対応できる程度に誘電率が低く、しかも、物理的に安定な半導体用の酸化膜を得ることである。また、そのような酸化膜を形成する方法を提供することである。【解決手段】 半導体用酸化膜は、多孔性のSiO2からなる。上記多孔性のSiO2からなる半導体用酸化膜は、SiH4ガスとH2O2水とを原料とし、100°C〜400°Cの範囲で熱CVD法により、基盤6上に形成する。

請求項（抜粋）：

多孔性のSiO2からなる半導体用酸化膜。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 J