特許
J-GLOBAL ID：200903023581691365
投影露光用基板の製造方法とこの基板を用いたパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102695
公開番号（公開出願番号）：特開平5-297565
出願日： 1992年04月22日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 遮光膜を半透明膜または透明膜で再加工することにより、遮光パターンと半透明パターンまたは透明膜パターンとの位置合わせを精度良く行う。【構成】 遮光膜を後の露光のアライメント精度相当分だけ大きめに形成し、この上に遮光部、半透明部または透明部のすべてのパターンを含むように、半透明膜または透明膜パターンを形成する。更にこの半透明膜パターンまたは透明膜パターンをマスクに遮光膜の突出部の除去を行う。【効果】 遮光膜、透明膜、半透明膜が混在する位相シフトマスクにおいて各パターンの位置合わせ精度が向上する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に第1の膜及び第2の膜より成る所望パターンを形成する際に、前記透明基板上に前記所望パターンより大きめに前記第1の膜を形成する工程と、前記透明基板上及び前記第1の膜上に前記第1の膜より高い強度透過率を有する前記第2の膜を形成する工程と、前記第2の膜上に前記所望パターンに対応してレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンをマスクに前記第2の膜続いて前記第1の膜を除去する工程と、前記レジストパターンを除去する工程とを含むことを特徴とする投影露光用基板の製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
