特許
J-GLOBAL ID:200903023585307365
低温紫外線硬化型エポキシ封止を有する半導体デバイスとその製法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
本城 雅則 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-130804
公開番号(公開出願番号):特開平6-021251
出願日: 1991年03月22日
公開日(公表日): 1994年01月28日
要約:
【要約】【目的】紫外線硬化性、チクソトロピー性アクリル・エポキシによって封止されたパッケージを有する半導体デバイス10とそのパッケージを封止するための方法が開示される。【構成】パッケージは、エポキシの少なくとも一部の紫外線への暴露によって始められるエポキシのポリマー交差結合により、室温において封止される。本発明の一実施例に従うと、電子部品14が基体12の所定の位直似取付けられた。ボンディング部分にスクリーン印刷された紫外線硬化型エポキシ層を有する蓋体24は、基体12上に置かれ、基体12と蓋体24の合体によって形成された空洞内に電子部品14を封止する。エポキシ層の露出された縁部分を紫外線周波数を有する放射線で照射することによって、蓋体24は基体12に封止される。封止が室温において形成されるため、温度に敏感な材料に対する熱損傷が回避される。
請求項(抜粋):
表面上にある凹んだボンディング表面に電子部品が取付けられる基体;前記基体のリード線装着部分を覆う接着材:前記接着材に部分的に埋込まれ、前記電子部品を装着基板に電気的に結合するため、前記凹んだボンディング表面から外方に延伸する複数の金属製パッケージ・リード線;および前記基体上に配置され、前記電子部品と前記複数のパッケーッジ・リード線それぞれの少なくとも一部とを封止する保護封止を形成する紫外線硬化型エポキシ材;から構成されることを特徴とする半導体デバイス。
IPC (5件):
H01L 23/10
, C09J163/10 JFM
, H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平1-310563
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特開昭58-192353
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特開昭58-170043
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