特許
J-GLOBAL ID：200903023589736597

EUVマスクの製造方法及びそのマスクを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 正光

伊藤 正光 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-025977
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192845
出願日： 2007年02月05日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】 パターンに応じて高精度に反射率を変化させたEUVマスクの製造方法及びそのマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に多層膜反射層及び吸収体パターンを順に形成したEUVマスクを用意し、吸収体パターンの実測寸法と設計寸法との寸法差の分布を示すパターン寸法マップを生成し、吸収体パターン形成領域を複数のパターン領域に区画し、各パターン領域に反射率補正係数を規定して反射率補正係数マップを生成し、各パターン領域の反射率補正係数とパターン寸法マップに示された各パターン領域に対応する吸収体パターンの実測寸法と設計寸法との寸法差とに基づき、各パターン領域の反射率補正値を求め、各パターン領域に位置する多層膜反射層の反射率を各パターン領域の反射率補正値に基づいて変化させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に多層膜反射層及び吸収体パターンを順に形成したEUVマスクを用意する工程と、 前記マスク面内の前記吸収体パターンの実測寸法と設計寸法との寸法差の分布を示すパターン寸法マップを生成する工程と、 前記マスク面内の前記吸収体パターン形成領域を複数のパターン領域に区画し、前記各パターン領域に反射率補正係数を規定して反射率補正係数マップを生成する工程と、 前記各パターン領域の前記反射率補正係数と前記パターン寸法マップに示された前記各パターン領域の前記吸収体パターンの実測寸法と設計寸法との寸法差とに基づき、前記各パターン領域の反射率補正値を求める工程と、 前記各パターン領域に位置する前記多層膜反射層の反射率を前記各パターン領域の前記反射率補正値に基づいて変化させる工程と、 を備えることを特徴とするEUVマスクの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (2件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A
Fターム (5件)：
2H095BA01 ,  2H095BA02 ,  2H095BA10 ,  2H095BD40 ,  5F046GD20
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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