特許
J-GLOBAL ID：200903023592481206

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
井上 優一

井上 優一 について

, 
下山 謙司

下山 謙司 について

, 
後藤 秀樹

後藤 秀樹 について


出願人/特許権者：
三菱化成株式会社

三菱化成株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-005176
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291405
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【構成】 端面より発光し、かつ端面に光の非吸収領域を有する発光素子であって、該光の非吸収領域が、電流狭窄のための電流ブロック領域と同一の構造を持つことを特徴とする半導体発光素子。【効果】 本発明を用いることにより、その作成プロセスが、通常のレーザーの作成プロセスと同様になり、従来のNAM構造のレーザーと比べて、構造も簡単で、作成プロセスも簡略化される。
請求項（抜粋）：
端面より発光し、かつ端面に光の非吸収領域を有する発光素子であって、該光の非吸収領域が、電流狭窄のための電流ブロック領域と同一の製造を持つことを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
審査官引用 (26件)
  • 特開平4-306610
  • 特開昭64-042884
  • 特開昭64-042884
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